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——IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓;
——IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓;
——流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流;
——IGBT的結(jié)溫。
如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動電壓過低,則IGBT不能穩(wěn)定正常地工作,如果過高超過柵極-發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能*性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極-發(fā)射極之間的耐壓,流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流超過集電極-發(fā)射極允許的zui大電流,IGBT的結(jié)溫超過其結(jié)溫的允許值,IGBT都可能會*性損壞。
2保護(hù)措施在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)針對影響IGBT可靠性的因素,有的放矢地采取相應(yīng)的保護(hù)措施。2.1IGBT柵極的保護(hù)IGBT的柵極-發(fā)射極驅(qū)動電壓VGE的保證值為±20V,如果在它的柵極與發(fā)射極之間加上超出保證值的電壓,則可能會損壞IGBT,因此,在IGBT的驅(qū)動電路中應(yīng)當(dāng)設(shè)置柵壓限幅電路。另外,若IGBT的柵極與發(fā)射極間開路,而在其集電極與發(fā)射極之間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在,使得柵極電位升高,集電極-發(fā)射極有電流流過。這時(shí)若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時(shí),可能會使IGBT發(fā)熱甚至損壞。如果設(shè)備在運(yùn)輸或振動過程中使得柵極回路斷開,在不被察覺的情況下給主電路加上電壓,則IGBT就可能會損壞。為防止此類情況發(fā)生,應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十kΩ的電阻,此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。由于IGBT是功率MOSFET和PNP雙極晶體管的復(fù)合體,特別是其柵極為MOS結(jié)構(gòu),因此除了上述應(yīng)有的保護(hù)之外,就像其他MOS結(jié)構(gòu)器件一樣,IGBT對于靜電壓也是十分敏感的,故而對IGBT進(jìn)行裝配焊接作業(yè)時(shí)也必須注意以下事項(xiàng):——在需要用手接觸IGBT前,應(yīng)先將人體上的靜電放電后再進(jìn)行操作,并盡量不要接觸模塊的驅(qū)動端子部分,必須接觸時(shí)要保證此時(shí)人體上所帶的靜電已全部放掉;——在焊接作業(yè)時(shí),為了防止靜電可能損壞IGBT,焊機(jī)一定要可靠地接地。IGBT在不間斷電源的應(yīng)用.
2.2集電極與發(fā)射極間的過壓保護(hù)過電壓的產(chǎn)生主要有兩種情況,一種是施加到IGBT集電極-發(fā)射極間的直流電壓過高,另一種為集電極-發(fā)射極上的浪涌電壓過高。
2.2.1直流過電壓直流過壓產(chǎn)生的原因是由于輸入交流電源或IGBT的前一級輸入發(fā)生異常所致。解決的辦法是在選取IGBT時(shí),進(jìn)行降額設(shè)計(jì);另外,可在檢測出這一過壓時(shí)分?jǐn)郔GBT的輸入,保證IGBT的安全。
2.2.2浪涌電壓的保護(hù)因?yàn)殡娐分蟹植茧姼械拇嬖?加之IGBT的開關(guān)速度較高,當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí)及與之并接的反向恢復(fù)二極管逆向恢復(fù)時(shí),就會產(chǎn)生很大的浪涌。
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2026第四屆上海具身智能機(jī)器人產(chǎn)業(yè)展覽會
展會城市:上海市展會時(shí)間:2026-08-12